Иерархический поиск


Результат поиска: 7462
20
  • 10 строк
  • 20 строк
  • 50 строк
  • 100 строк
  • 200 строк
  • 500 строк
    • #КодНаименованиеХарактеристикиЕд. Изм.Код МКЕИ
    6126.11.21.200.000.00.0796.000000000011Диодвысоковольтный, выпрямительныйШтука796
    6226.11.21.200.000.00.0796.000000000012Диодлазерный, на двойной гетероструктуреШтука796
    6326.11.21.200.000.00.0796.000000000013Диодлазерный, с квантовыми ямамиШтука796
    6426.11.21.200.000.00.0796.000000000014Диодлазерный, с раздельным удержаниемШтука796
    6526.11.21.200.000.00.0796.000000000015Диодлазерный, с распределенной обратной связьюШтука796
    6626.11.21.200.000.00.0796.000000000016Диодлазерный, диффузионныйШтука796
    6726.11.21.200.002.00.0796.000000000000Мост диодныйдля выпрямления переменного токаШтука796
    6826.11.21.200.001.00.0796.000000000000Сборка диоднаяноминальный ток 80 А, номинальное напряжение 1200 ВШтука796
    6926.11.21.200.000.00.0796.000000000017Диодзащитный, мощность 600 ВтШтука796
    7026.11.21.500.000.01.0796.000000000000Транзисторбиполярный, высоковольтный n-p-n составной мощныйШтука796
    7126.11.21.500.000.01.0796.000000000001Транзисторбиполярный, p-n-p структура, «прямой проводимости»Штука796
    7226.11.21.500.000.01.0796.000000000002Транзисторбиполярный, кремниевыйШтука796
    7326.11.21.500.000.01.0796.000000000003Транзисторбиполярный, германиевыйШтука796
    7426.11.21.500.000.01.0796.000000000004Транзисторбиполярный, арсенид-галлиевыйШтука796
    7526.11.21.500.000.02.0796.000000000000Транзисторполевой, p-n переходШтука796
    7626.11.21.500.000.02.0796.000000000001Транзисторполевой, с изолированным завторомШтука796
    7726.11.21.500.000.02.0796.000000000002Транзисторполевой, кремниевыйШтука796
    7826.11.21.500.000.02.0796.000000000003Транзисторполевой, германиевыйШтука796
    7926.11.21.500.000.02.0796.000000000004Транзисторполевой, арсенид-галлиевыйШтука796
    8026.11.21.500.000.03.0796.000000000000ТранзисторкриогенныйШтука796
    2013-2021 © ТОО "Самрук-Казына Контракт"